Компания Toshiba разработала первый в отрасли модуль MOSFET с двойным карбидом кремния (SiC) с напряжением 2200 В для промышленного оборудования.
Компания Toshiba разработала первый в отрасли модуль MOSFET с двойным карбидом кремния (SiC) с напряжением 2200 В для промышленного оборудования.
Новости
Все новости
27 декабря 2023
С наступающим 2024 годом!